Numero di Prodotto del Fabbricante:
TSM4N90CZ C0G
Product Overview
Produttore:
Taiwan Semiconductor Corporation
Numero di Parte:
TSM4N90CZ C0G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CHANNEL 900V 4A TO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 900 V 4A (Tc) 38.7W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
958 Pz Nuovo Originale Disponibile
12898242
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TSM4N90CZ C0G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Taiwan Semiconductor
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
900 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
955 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
38.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
TSM4N90
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
1801-TSM4N90CZC0G
TSM4N90CZC0G-DG
-2068-TSM4N90CZC0GDKRINACTIVE
-2068-TSM4N90CZC0GDKR
-2068-TSM4N90CZC0G
TSM4N90CZ C0G-DG
TSM4N90CZC0G
-2068-TSM4N90CZC0GDKR-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STP2N95K5
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
1000
NUMERO DI PEZZO
STP2N95K5-DG
PREZZO UNITARIO
0.56
TIPO DI SOSTITUZIONE
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